密度泛函理论计算（DFT）利用DFT计算可以获得体系的能量变化，技术计算从而用于计算材料从初态到末态所具有的能量的差值。
成企(g,h)该方法得到的单晶晶胞结构与大单晶结构的对比。另外，业推由于缺乏对有机半导体分子成核点的控制，单晶一般随机、无取向地分布在衬底上。
领先(d)该器件的连续开关稳定性。指标并通过流体仿真证实了有机分子在微尺寸通道内的成核机理。技术计算(d)计算流体动力学仿真结果证实了微米尺度的光刻胶通道可以有效地减少弯液面前端的尺寸。
传统涂布法中弯液面的尺寸非常大，成企因此其前端会出现尺寸和取向不一致的成核点，成企这就造成了得到的阵列中晶体与晶体间取向和形貌不一致，表现为偏光显微镜中晶体的明暗差异。通过器件表征发现，业推所得到的二联苯蒽单晶阵列的平均载流子迁移率高达30.3cm2V-1s-1，业推同一基底上的63个器件迁移率的标准偏差仅为5.36cm2V-1s-1，器件平均迁移率是目前有机场效应晶体管中的最高值。
领先(d)有机半导体单晶阵列的SEM照片。
指标相关成果以Channel-restrictedMeniscusSelf-assemblyforUniformlyAlignedGrowthofSingle-CrystalArraysofOrganicSemiconductors为题发表在MaterialsToday上。据介绍，技术计算目前已有近50个应急体系新媒体账号入驻央视新闻客户端。
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